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TN0200K
Vishay Siliconix
N-Channel 20-V (D-S) MOSFETs
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
r DS(on) ( Ω )
I D (A)
? TrenchFET ? Power MOSFET
20
0.4 at V GS = 4.5 V
0.5 at V GS = 2.5 V
0.73
0.65
? ESD Protected: 4000 V
APPLICATIONS
RoHS
COMPLIANT
? Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS
? Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers
? Battery Operated Systems, DC/DC Converters
? Solid-State Relays
? Load/Power Switching-Cell Phones, Pagers
TO-236
(SOT-23)
D
G
1
Marking Code: K2ywl
100 Ω
S
2
3
D
K2 = Part Number Code for TN0200K
y = Year Code
w = Week Code
G
l = Lot Traceability
Top View
Ordering Information: TN0200K-T1-E3 (Lead (Pb)-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
S
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
Symbol
V DS
V GS
Limit
20
±8
Unit
V
Pulsed Drain Current
Continuous Drain Current (T J = 150 °C) b
a
Continuous Source Current (Diode Conduction) b
Power Dissipation b
Operating Junction and Storage Temperature Range
T A = 25 °C
T A = 70 °C
T A = 25 °C
T A = 70 °C
I D
I DM
I S
P D
T J, T stg
0.73
0.58
4
0.3
0.35
0.22
- 55 to 150
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Limit
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
b
R thJA
357
°C/W
Notes:
a. Pulse width limited by maximum junction temperature.
b. Surface Mounted on FR4 Board, t ≤ 10 sec.
Document Number: 72678
S-71198–Rev. B, 18-Jun-07
www.vishay.com
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